I65015TO
Payment:
Delivery:

I65015TO , GaNPower

Fabricante: GaNPower
Número de pieza del fabricante: GPI65015TO
Paquete:
RoHS:
Ficha de datos:

PDF For GPI65015TO

ECAD:
Descripción:
GANFET N-CH 650V 15A TO220
Solicitud de presupuesto In Stock: 483208
Consejos cálidos: complete el formulario a continuación y nos comunicaremos con usted lo antes posible.
*Cantidad:
*Nombre:
*Email:
Teléfono:
Precio objetivo:
Remark:
Enviar Consulta
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 6 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(Th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.5mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 123 pF @ 400 V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain To Source Voltage (Vdss) 650 V
Package / Case Die
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) +7.5V, -12V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V
Referencias cruzadas
11942897
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11942897&N=
$