IXFA4N100P-TR
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IXFA4N100P-TRL , Hamlin / Littelfuse

Fabricante: Hamlin / Littelfuse
Número de pieza del fabricante: IXFA4N100P-TRL
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RoHS:
Ficha de datos:

PDF For IXFA4N100P-TRL

ECAD:
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Solicitud de presupuesto In Stock: 192746
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Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(Th) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1456 pF @ 25 V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 1000 V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Referencias cruzadas
11940914
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11940914&N=
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