IXTY1N100P
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IXTY1N100P , Hamlin / Littelfuse

Fabricante: Hamlin / Littelfuse
Número de pieza del fabricante: IXTY1N100P
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Ficha de datos:

PDF For IXTY1N100P

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Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO252
Solicitud de presupuesto In Stock: 110723
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Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 331 pF @ 25 V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 1000 V
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Referencias cruzadas
11940916
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11940916&N=
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