FF600R12ME4
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FF600R12ME4 , Infineon Technologies

Fabricante: Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante: FF600R12ME4
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RoHS:
Ficha de datos:

PDF For FF600R12ME4

Descripción:
IGBT Modules IGBT 1200V 600A
Solicitud de presupuesto In Stock: 447762
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Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Infineon
Product Category IGBT Modules
Product IGBT Silicon Modules
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount
Pd - Power Dissipation 4050 W
Product Type IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Packaging Tray
Part # Aliases FF600R12ME4BOSA1 SP000635448
Brand Infineon Technologies
Configuration Dual
Continuous Collector Current At 25 C 995 A
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs
Unit Weight 12.169517 oz
Referencias cruzadas
805184
1160
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Modules_1160?proid=805184&N=
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