FP75R12KT4_B15
Payment:
Delivery:

FP75R12KT4_B15 , Infineon Technologies

Fabricante: Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante: FP75R12KT4_B15
Paquete:
RoHS:
Ficha de datos:

PDF For FP75R12KT4_B15

ECAD:
Descripción:
IGBT Modules IGBT 1200V 75A
Solicitud de presupuesto In Stock: 7
Consejos cálidos: complete el formulario a continuación y nos comunicaremos con usted lo antes posible.
*Cantidad:
*Nombre:
*Email:
Teléfono:
Precio objetivo:
Remark:
Enviar Consulta
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Infineon
Product Category IGBT Modules
Product IGBT Silicon Modules
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount
Pd - Power Dissipation 385 W
Product Type IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Packaging Tray
Part # Aliases FP75R12KT4B15BOSA1 SP000408728
Brand Infineon Technologies
Continuous Collector Current At 25 C 75 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs
Referencias cruzadas
783647
1160
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Modules_1160?proid=783647&N=
$