PD036N04LGATMA1
Payment:
Delivery:

PD036N04LGATMA1 , Infineon Technologies

Fabricante: Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante: IPD036N04LGATMA1
Paquete:
RoHS:
Ficha de datos:

PDF For IPD036N04LGATMA1

ECAD:
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Solicitud de presupuesto In Stock: 806518
Consejos cálidos: complete el formulario a continuación y nos comunicaremos con usted lo antes posible.
*Cantidad:
*Nombre:
*Email:
Teléfono:
Precio objetivo:
Remark:
Enviar Consulta
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs (Max) ±20V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 20 V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Fet Type N-Channel
Drain To Source Voltage (Vdss) 40 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 2V @ 45µA
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Referencias cruzadas
11929041
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11929041&N=
$