PD04N03LB G
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PD04N03LB G , Infineon Technologies

Fabricante: Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante: IPD04N03LB G
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PDF For IPD04N03LB G

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Descripción:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Solicitud de presupuesto In Stock: 395809
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Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (Max) ±20V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200 pF @ 15 V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Fet Type N-Channel
Drain To Source Voltage (Vdss) 30 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 2V @ 70µA
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Referencias cruzadas
11932235
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11932235&N=
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