HERAF1606G
Payment:
Delivery:

HERAF1606G , Taiwan Semiconductor

Fabricante: Taiwan Semiconductor
Número de pieza del fabricante: HERAF1606G
Paquete:
RoHS:
Ficha de datos:

PDF For HERAF1606G

ECAD:
Descripción:
DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
Solicitud de presupuesto In Stock: 397268
Consejos cálidos: complete el formulario a continuación y nos comunicaremos con usted lo antes posible.
*Cantidad:
*Nombre:
*Email:
Teléfono:
Precio objetivo:
Remark:
Enviar Consulta
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Capacitance @ Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io) 16A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 16 A
Reverse Recovery Time (Trr) 80 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 600 V
Package / Case TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package ITO-220AC
Technology Standard
Voltage - Dc Reverse (Vr) (Max) 600 V
Referencias cruzadas
11843829
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11843829&N=
$