30P30K
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NCE30P30K , Wuxi NCE Power Semiconductor

Fabricante: Wuxi NCE Power Semiconductor
Número de pieza del fabricante: NCE30P30K
Paquete: TO-252-2(DPAK)
RoHS:
Ficha de datos:

PDF For NCE30P30K

ECAD:
Descripción:
MOSFET P Trench 30V 30A 2.5V @ 250uA 18 mΩ @ 20A,10V TO-252-2(DPAK) RoHS
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Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Wuxi NCE Power Semiconductor
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 30A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 60W
Rds On - Drain-Source Resistance 18mΩ @ 20A,10V
Package / Case TO-252-2(DPAK)
Packaging Tape & Reel (TR)
Transistor Polarity P Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 2.5V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Referencias cruzadas
4610413
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=4610413&N=
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