FDU8770_F071
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FDU8770_F071 , onsemi

Fabricante: onsemi
Número de pieza del fabricante: FDU8770_F071
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PDF For FDU8770_F071

ECAD:
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Solicitud de presupuesto In Stock: 385079
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Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package I-PAK
Drain To Source Voltage (Vdss) 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 13 V
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Fet Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Referencias cruzadas
11949313
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11949313&N=
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